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33W PD快充方案SP8666E+SP6519F測試報告
聚泉鑫為大家搭建推薦搭配了一款33W的PD快充方案利用硅動力SP8666E+SP6519F實現(xiàn)，具體的測試報告如下：
SP8666E+SP6519F 33W DEMO 測試報告 (2022-06-02).pdf
SP8666E 是一顆高性能、多工作模式的 PWM集成芯片。芯片可以工作在跳頻及綠色模式，以此來減小空載和輕載時的損耗,也可以工作在 OR工作模式及 CCM 工作模式，提高整機的工作效率。
SP8666E 在啟動和工作時只需要很小的電流，可以在啟動電路中使用一個很大的電阻，以此來進(jìn)一步減小待機時的功耗。
SP8666E 內(nèi)置多種保護，包括:輸入電壓過低保護(Brown-out)，輸入電壓過高保護(Line-ovp)，輸出電壓過壓保護(VO OVP)輸出二極管短路保護，逐周期過流保護(OCP)過載保護(OLP)，VDD 過壓保護(OVP)，VDD欠壓保護(UVLO)，過溫保護(OTP)等。SP8666E 采用 ESOP-6 封裝
SP6519F 是一顆高性能的開關(guān)電源次級側(cè)同步整流控制電路。在低壓大電流開關(guān)電源應(yīng)用中，輕松滿足6級能效，是理想的超低導(dǎo)通壓降整流器件的解決方案。芯片可支持高達(dá) 150kHZ的開關(guān)頻率應(yīng)用，并且支持 CCM/OR/DCM等開關(guān)電源工作模式應(yīng)用，其極低導(dǎo)通壓降產(chǎn)生的損耗遠(yuǎn)小于肖特基二極管的導(dǎo)通損耗，極大提高了系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率,大幅降低了整流器件的溫度。芯片內(nèi)置耐壓 100V的NMOSFET 同步整流開關(guān)，且具有極低的內(nèi)阻，典型 RdsON 低至 10m2，可提供系統(tǒng)高達(dá) 3A 的應(yīng)用輸出:還內(nèi)置了高壓直接檢測技術(shù)，耐壓高達(dá) 200V:以及自供電技術(shù)極大擴展了輸出電壓應(yīng)用范圍。
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