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PD快充33W硅動力SP8666E+SP6519F測試報告

2023-06-17 16:53      PD快充33W   硅動力SP8666E+SP6519F測試報告    瀏覽次數(shù):(

PD快充33W硅動力SP8666E+SP6519F測試報告PDF文檔:SP8666E+SP6519F 33W DEMO 測試報告 (2022-06-02)(1).pdf


SP8666E 是一顆高性能、多工作模式的 PWM集成芯片。芯片可以工作在跳頻及綠色模式,以此來減小空載和輕載時的損耗,也可以工作在 OR工作模式及 CCM 工作模式,提高整機(jī)的工作效率。

SP8666E 在啟動和工作時只需要很小的電流,可以在啟動電路中使用一個很大的電阻,以此來進(jìn)一步減小待機(jī)時的功耗。

SP8666E 內(nèi)置多種保護(hù),包括:輸入電壓過低保護(hù)(Brown-out),輸入電壓過高保護(hù)(Line-ovp),輸出電壓過壓保護(hù)(VO OVP),輸出二極管短路保護(hù),逐周期過流保護(hù)(OCP)過載保護(hù)(OLP),VDD 過壓保護(hù)(OVP),VDD欠壓保護(hù)(UVLO),過溫保護(hù)(OTP)等。SP8666E 采用 ESOP-6 封裝。


SP6519F 是一顆高性能的開關(guān)電源次級側(cè)同步整流控制電路。在低壓大電流開關(guān)電源應(yīng)用中,輕松滿足6 級能效,是理想的超低導(dǎo)通壓降整流器件的解決方案。芯片可支持高達(dá) 150kHz的開關(guān)頻率應(yīng)用,并且支持 CCM/OR/DCM等開關(guān)電源工作模式應(yīng)用,其極低導(dǎo)通壓降產(chǎn)生的損耗遠(yuǎn)小于肖特基二極管的導(dǎo)通損耗,極大提高了系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率,大幅降低了整流器件的溫度。芯片內(nèi)置耐壓 100V的NMOSFET 同步整流開關(guān),且具有極低的內(nèi)阻,典型 RdsON 低至 10mQ,可提供系統(tǒng)高達(dá) 3A 的應(yīng)用輸出:還內(nèi)置了高壓直接檢測技術(shù),耐壓高達(dá) 200V:以及自供電技術(shù)極大擴(kuò)展了輸出電壓應(yīng)用范圍。

PD快充33W硅動力SP8666E+SP6519F測試報告

PD快充33W電路原理圖

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